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· 湿法腐蚀

包含碱性KOH，TMAH、金腐蚀等腐蚀和酸性HF，BOE，HCI，HNO3，H2SO4，HAc等腐蚀

· 光刻胶剥离

丙酮，异丙醇

· ICP刻蚀（电感耦合等离子刻蚀）

GaN，GaAs，InP

· 深硅刻蚀DRIE

刻蚀均匀性<±5%，选择比＞50:1

· 深氧化硅刻蚀

石英，玻璃，硅，刻蚀形貌：90°±1°

·  IBE刻蚀（离子束刻蚀）

用于较难刻蚀的金属或其他物质

· RIE刻蚀（反应离子刻蚀）

Si，SiO₂，SiNx

· Plasma（灰化）

光刻胶，PI（聚酰亚胺）